Ключевое слово: «халькогениды»
Камалудинова
Х.
Э.
Центры с глубокими уровнями в халькогенидных полупроводниках //
Научно-методический электронный журнал «Концепт». –
2014. –
Т. 20.
– С. 4846–4850.
– URL: https://e-koncept.ru/2014/55234.htm
Х. Э. Камалудинова
Данная статья посвящена построению обобщенной модели генерационно-рекомбинационных процессов, обусловливающих термоактивационные спектры в реальных полупроводниках с нарушенной трансляционной симметрией. Определены характеристические параметры, и изучаются особенности генерационно-рекомбинационных процесов с участием медленных электронных ловушек.
Ключевые слова:
халькогениды, сечение захвата, релаксация, центр прилипания, деморкационные уровни, туннелирование
